Documente online.
Username / Parola inexistente
  Zona de administrare documente. Fisierele tale  
Am uitat parola x Creaza cont nou
  Home Exploreaza
Upload



















































Dioda semiconductoare "p-n"

tehnica mecanica












ALTE DOCUMENTE

Masurarea rezistentei prizelor de pamānt
TRANSMISIA
MĂSURĂRI DE REZISTENTE CU PUNTEA WHEATSTONE
DETERMINAREA ORDINULUI PARŢIAL DE REACŢIE
ELABORAREA OTELULUI
Determinarea unghiului de inclinare statica si dinamica a navei supuse actiunii unui moment exterior constant sau variabil
Managementul sistemelor logistice
Sistemul de franare
ELECTRONIST, APARATE SI ECHIPAMENTE DE AUTOMATIZARE
cateva defecte tipice pentru sasiul 11AK52

Dioda semiconductoare "p-n"



1.

1p

Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu p a fost notata:

Figura 1.1

a)      concentratia de atomi acceptori;

b)      concentratia de atomi donori;

c)      concentratia de electroni;

d)      concentratia de goluri.

Raspuns corect: d.)

2.

1p

Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu n a fost notata:

a)       concentratia de atomi acceptori;

b)       concentratia de atomi donori;

c)       concentratia de electroni;

d)       concentratia de goluri.

Raspuns corect: c.)

3.

1p

Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu NA a fost notata:

a)       concentratia de atomi acceptori;

b)       concentratia de atomi donori;

c)       concentratia de electroni;

d)       concentratia de goluri.

Raspuns corect: a.)

4.

1p

Figura 1.1 prezinta structura unei jonctiuni "p-n". Cu ND a fost notata:

a)       concentratia de atomi acceptori;

b)       concentratia de atomi donori;

c)       concentratia de electroni;

d)       concentratia de goluri.

Raspuns corect: b.)

5.

1p

Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w A a fost notat:

Figura 1.2

a.)    anod;

b.)    catod;

c.)    valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda;

d.)    valoarea instantanee totala a curentului prin dioda;

Raspuns corect a.)

6.

1p

Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w C a fost notat:

a.)    anod;

b.)    catod;

c.)    valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda;

d.)    valoarea instantanee totala a curentului prin dioda;

Raspuns corect b.)

7.

1p

Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w vA a fost notat:

a.)    anod;

b.)    catod;

c.)    valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda;

d.)    valoarea instantanee totala a curentului prin dioda;

Raspuns corect c.)

8.

1p

Figura 1.2 prezinta simbolul unei diode semiconductoare. Cu 22422h74w iA a fost notat:

a.)    anod;

b.)    catod;

c.)    valoarea instantanee totala a caderii de tensiune pe dioda;

d.)    valoarea instantanee totala a curentului prin dioda;

Raspuns corect d.)

9.

3p

Prin efect de dioda se īntelege:

a.)    īn functionare normala - practic - curentul prin dioda circula numai de la catod spre anod;

b.)    īn functionare normala - practic - curentul prin dioda circula numai de la anod spre catod;

c.)    īn functionare normala - practic - sensul curentului prin dioda este dictat de circuitul exterior diodei;

d.)    īn functionare normala - practic - curentul prin dioda circula uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

Raspuns corect b.)

10.

1p

Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 1 reprezinta

Figura 1.3

a.)    regiunea neutra p;

b.)    regiunea neutra n;

c.)    regiunea de tranzitie;

d.)    nu are o semnificatie deosebita.

Raspuns corect a.)

11.

1p

Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 2 reprezinta

a.)    regiunea neutra p;

b.)    regiunea neutra n;

c.)    regiunea de tranzitie;

d.)    nu are o semnificatie deosebita.

Raspuns corect c.)

12.

1p

Figura 1.3 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notata 3 reprezinta

a.)    regiunea neutra p;

b.)    regiunea neutra n;

c.)    regiunea de tranzitie;

d.)    nu are o semnificatie deosebita.

Raspuns corect b.)

14.

2p

Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare īn jurul jonctiunii metalurgice ca efect al: difuziei purtatorilor mobili.

Figura 1.4

a.)    difuziei purtatorilor fixi;

b.)    sarcinii purtatorilor mobili;

c.)    sarcinii purtatorilor fixi;

d.)    difuziei purtatorilor mobili.

Raspuns corect d.)

15.

3p

Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare īn jurul jonctiunii metalurgice ca efect al difuziei purtatorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de:

a.)    gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra p si regiunea de tranzitie;

b.)    gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra n si regiunea de tranzitie;



c.)    gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori dintre regiunea neutra n si regiunea neutra n;

d.)    gradientul de concentratie a atomilor donori si acceptori din jurul jonctiunii metalurgice.

Raspuns corect d.)

16.

3p

Figura 1.4 prezinta structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de tranzitie -responsabila pentru aparitia efectului de dioda - apare īn jurul jonctiunii metalurgice ca efect al difuziei purtatorilor mobili. Fenomenul de difuzie este cauzat de gradientul de concentratie existent īn jurul jonctiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen īn structura apar sarcini fixe reprezentate de:

a.)    ionii prinsi īn reteaua cristalina;

b.)    electronii din structura;

c.)    golurile din structura;

d.)    structura retelei cristaline

Raspuns corect a.)

17.

2p

Cāmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranzitie este datorat:

a.)    ionilor prinsi īn reteaua cristalina;

b.)    electronilor din structura;

c.)    golurilor din structura;

d.)    structurii retelei cristaline.

Raspuns corect a.)

18.

2p

La polarizare inversa plus (+) pe catod si minus (-) pe anod bariera interna de potential este:

a.)    crescuta;

b.)    coborāta;

c.)    neafectata;

d.)    uneori crescuta, uneori coborāta.

Raspuns corect a.)

19.

2p

La polarizare directa plus (+) pe anod si minus (-) pe catod bariera interna de potential este:

a.)    crescuta;

b.)    coborāta;

c.)    neafectata;

d.)    uneori crescuta, uneori coborāta.

Raspuns corect b.)

20.

2p

Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisa de:

a.)    singura ecuatie caracteristica;

b.)    un sistem de doua ecuatii caracteristice;

c.)    un numar de ecuatii care depinde de topologia circuitului;

d.)    un numar de ecuatii care depinde de regimul de functionare

Raspuns corect a.)

21.

3p

Din punct de vedere formal, īn regim cvasistatic de semnal mare dioda este integral descrisa de o ecuatie de tipul:

a.)   

b.)   

c.)   

d.)   

Raspuns corect b.)

22.

3p

Din punct de vedere formal, īn regim cvasistatic de semnal mic dioda este integral descrisa de o ecuatie de tipul:

a.)   

b.)   

c.)   

d.)   

Raspuns corect c.)

23.

2p

Ecuatia caracteristica statica (sau mai simplu caracteristica statica) a diodei ideale este

a.)   

b.)   

c.)   

d.)   

Raspuns corect b.)

24.

2p

Ecuatia caracteristica statica (sau mai simplu caracteristica statica) a diodei ideale este:

unde:

si poarta numele de tensiune termica. S-au folosit notatiile:

            k          constanta lui Boltzman;

            q          sarcina electronului;

            T          temperatura absoluta.

La temperatura ambianta eT are valoarea:

a.)    eT@2.5 mV

b.)    eT@25 mV

c.)    eT@250 mV

d.)    eT@2.5 V

Raspuns corect b.)

25.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.

Figura 1.5

IS reprezinta:

a)       curentul mediu redresat monoalternanta;

b)       curentul maxim admisibil;

c)       curentul rezidual;

d)       curentul mediu redresat dubla alternanta.

Raspuns corect c.)

26.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.

Vγ   reprezinta:

a)       tensiunea de strapungere;




b)       tensiunea de prag;

c)       tensiunea medie redresata monoalternanta;

d)       tensiunea medie redresata dubla alternanta

Raspuns corect b.)

27.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode.

VBR   reprezinta:

a)       tensiunea de strapungere;

b)       tensiunea de prag;

c)       tensiunea medie redresata monoalternanta;

d)       tensiunea medie redresata dubla alternanta

Raspuns corect a.)

28.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 1 a fost notata regiunea de:

a)       strapungere;

b)       blocare la polarizare inversa;

c)       blocare la polarizare directa;

d)       conductie

Raspuns corect a.)

29.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 2 a fost notata regiunea de:

a)       strapungere;

b)       blocare la polarizare inversa;

c)       blocare la polarizare directa;

d)       conductie

Raspuns corect b.)

30.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 3 a fost notata regiunea de:

a)       strapungere;

b)       blocare la polarizare inversa;

c)       blocare la polarizare directa;

d)       conductie

Raspuns corect c.)

31.

1p

Figura 1.5 reprezinta caracteristica statica a unei diode. Cu 4 a fost notata regiunea de:

a)       strapungere;

b)       blocare la polarizare inversa;

c)       blocare la polarizare directa;

d)       conductie

Raspuns corect d.)

32.

2p

Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de model de ordin zero.

Figura 1.6

Conform acestei aproximari schema echivalenta a diodei este:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect d.)

33.

2p

Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximari īn regim de conductie dioda se comporta ca:

a)       un rezistor;

b)       un circuit īntrerupt;

c)       un scurtcircuit;

d)       un condensator

Raspuns corect c.)

34.

2p

Figura 1.6 prezinta o posibila liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 si poarta numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximari īn regim de blocare dioda se comporta ca:

a)       un rezistor;

b)       un circuit īntrerupt;

c)       un scurtcircuit;

d)       un condensator

Raspuns corect c.)

35.

3p

Multiplicarea īn avalansa are loc la:

a)       tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate.

b)       tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

c)       tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate.

d)       tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

Raspuns corect a.)

36.

3p

Efectul "tunel" are loc:



a)       tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate.

b)       tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

c)       tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate.

d)       tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

Raspuns corect d.)

37.

2p

Figura 1.7 prezinta caracteristica statica a unei diode stabilizatoare.

Figura 1.7

Pentru a putea realiza functia de stabilizare a tensiunii o asemenea dioda trebuie sa lucreze īn regim de:

a)       strapungere;

b)       blocare la polarizare inversa;

c)       blocare la polarizare directa;

d)       conductie

Raspuns corect a.)

38.

2p

Figura 1.7 prezinta caracteristica statica a unei diode stabilizatoare. Pentru a putea realiza functia de stabilizare a tensiunii  trebuie sa satisfaca conditia:

a)      

b)      

c)      

d)      

Raspuns corect b.)

39.

2p

Īn situatii reale exista anumite limitari pentru a evita distrugerea unei diode redresoare. Cele mai uzuale limitari sunt:

a)       IFM (curentul direct maxim admisibil) si VBR (tensiunea de strapungere);

b)       IZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si VZ (tensiunea nominala de stabilizare)

c)       IFM (curentul direct maxim admisibil) si VZ (tensiunea nominala de stabilizare)

d)       IZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si IFM (curentul direct maxim admisibil)

Raspuns corect a.)

40.

2p

Īn situatii reale exista anumite limitari pentru a evita distrugerea unei diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitari sunt:

a)       IFM (curentul direct maxim admisibil) si VBR (tensiunea de strapungere);

b)       IZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si VZ (tensiunea nominala de stabilizare)

c)       IFM (curentul direct maxim admisibil) si VZ (tensiunea nominala de stabilizare)

d)       IZM (curentul invers maxim admisibil prin dioda) si IFM (curentul direct maxim admisibil)

Raspuns corect b.)

41.

4p

Valoarea curentului IA care circula prin dioda din figura este aproximativ:

Figura 1.8

a)      

b)      

c)      

d)      

Raspuns corect c.)

42.

4p

Caderea de tensiune pe dioda prezenta īn circuitul din figura 1.8 este aproximativ:

a)      

b)      

c)      

d)      

Raspuns corect b.)

43.

3p

Conditia de semnal mic pentru o dioda semiconductoare este īndeplinita daca:

a)       semnalul pe dioda este mai mic de 2.5 mV

b)       semnalul pe dioda este mai mic de 10 mV

c)       semnalul pe dioda este mai mic de 25 mV

d)       semnalul pe dioda este mai mic de 100 mV

Raspuns corect b.)

44.

3p

Conductanta de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

a)      

b)      

c)      

d)      

Raspuns corect d.)

45.

3p

Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucreaza īn regim cvasistatic de semnal mic este:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

46.

3p

Schema echivalenta a unei diode semiconductoare care lucreaza īn regim cvasistatic de semnal mic este:

a)

b)

c)

d)

Raspuns corect b.)












Document Info


Accesari: 2113
Apreciat:

Comenteaza documentul:

Nu esti inregistrat
Trebuie sa fii utilizator inregistrat pentru a putea comenta


Creaza cont nou

A fost util?

Daca documentul a fost util si crezi ca merita
sa adaugi un link catre el la tine in site

Copiaza codul
in pagina web a site-ului tau.




Coduri - Postale, caen, cor

Politica de confidentialitate

Copyright © Contact (SCRIGROUP Int. 2019 )