Diode semiconductoare "p-n" - test grila

Figura 1 prezinta structura unei diode 'p-n'.

Figura 1

Cu 'n' s-a notat:

c)       caderea de tensiune in conductie directa si curentul invers sunt mai mari la dioda cu siliciu;

d)       caderea de tensiune in conductie directa este mai mare iar curentul invers este mai mic la dioda cu siliciu.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura 5.

Figura 5

Regiunea AB reprezinta:

a)       regiunea de blocare la polarizare inversa;

b)       regiunea de blocare la polarizare directa;

c)       regiunea de conductie;

d)       regiunea de strapungere.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura 5. Regiunea BC reprezinta:

a)      

a)       regiunea de blocare la polarizare inversa;

b)       regiunea de blocare la polarizare directa;

c)       regiunea de conductie;

d)       regiunea de strapungere.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura alaturata. Regiunea CD reprezinta:

a)      

a)       regiunea de blocare la polarizare inversa;

b)       regiunea de blocare la polarizare directa;

c)       regiunea de conductie;

d)       regiunea de strapungere.

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare este prezentata in figura alaturata. Regiunea DE reprezinta:

a)      

a)       regiunea de blocare la polarizare inversa;

b)       regiunea de blocare la polarizare directa;

c)       regiunea de conductie;

d)       regiunea de strapungere.

Figura 6 prezinta una din posibilitatile de liniarizare pe portiuni a caracteristicii statice.

Figura 6

Conform acestei aproximari dioda se comporta ca:

a)       sursa de curent;

b)       un scurcircuit;

c)       un comutator;

d)       o sursa de tensiune.

Multiplicarea in avalansa are loc:

a)       la tensiuni mari si este specifica jonctiunilor slab dopate;

b)       la tensiuni mici si este specifica jonctiunilor slab dopate;

c)       la tensiuni mari si este specifica jonctiunilor puternic dopate;

d)       la tensiuni mici si este specifica jonctiunilor puternic dopate.

Efectul 'tunel' are loc:

a)       la tensiuni mici si este specific jontiunilor puternic dopate;

b)       la tensiuni mari si este specific jontiunilor puternic dopate;

c)       la tensiuni mici si este specific jontiunilor slab dopate;

d)       la tensiuni mari si este specific jontiunilor slab dopate.

Figura 7 prezinta simbolul unei:

Figura 7

a)      

a)       diode redresoare;

b)       diode stabilizatoare;

c)       diode varicap;

d)       tiristor.

Diodele stabilizatoare lucreaza in regim de

a)       conductie;

b)       blocare la polarizare directa;

c)       blocare la polarizare inversa;

d)       strapungere.

Pentru o dioda semiconductoare redresoare parametrii electrici de interes sunt:

a)       I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

b)       V_BR (tensiunea de stapungere) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) ;

c)       I_ZM (curentul maxim admisibil prin dioda la polarizare inversa) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

d)       V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) si I_FM (curentul direct maxim admisibil.

Pentru o dioda semiconductoare stabilizatoare parametrii electrici de interes sunt:

a)       I_FM (curentul direct maxim admisibil) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

b)       V_BR (tensiunea de stapungere) si I_FM (curentul direct maxim admisibil) ;

c)       I_ZM (curentul maxim admisibil prin dioda la polarizare inversa) si V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) ;

d)       V_Z (tensiunea nominala de stabilizare) si I_FM (curentul direct maxim admisibil.

Pentru a indeplini conditia de semnal mic, semnalul pe dioda trebuie sa fie mai mic de:

a)       1 mV;

b)       10 mV;

c)       25 mV;

d)       100 mV.

Conductanta de semnal mic a diodei are valoarea:

a)       ;

b)       ;

c)       ;

d)       .

Modelul matematic al unei diode semiconductoare ce lucreaza in conditii de semnal mic, regim cvasistatic este:

a)       ;

b)       ;

c)       ;

d)       .

Schema echivalenta a unei diode semiconductoare ce lucreaza in conditii de semnal mic, regim cvasistatic este:

a)

b)

c)

d)

Raspunsuri corecte

Document Info

Accesari: 3166
Apreciat:

Comenteaza documentul:

Nu esti inregistrat
Trebuie sa fii utilizator inregistrat pentru a putea comenta

Creaza cont nou