Documente online.
Username / Parola inexistente
  Zona de administrare documente. Fisierele tale  
Am uitat parola x Creaza cont nou
  Home Exploreaza
Upload



















































Tranzistoare bipolare

tehnica mecanica












ALTE DOCUMENTE

CERCETĂRI EXPERIMENTALE PRIVIND INFLUENŢA PRESIUNII LA SUDAREA USCATĂ HIPERBARICĂ MAG - M ĪN CURENT PULSAT CU SĀRMĂ TUBULAR&#
Aplicarile Telefonice
TRANSMISIA
ALUNECAREA ELASTICĂ A CURELELOR
FIsA TEHNICĂ DE SECURITATE
DETERMINAREA ORDINULUI PARŢIAL DE REACŢIE
TEMA DE CASA LA DISPOZITIVE TEHNOLOGICE
Verificarea penelor
MOTORUL CU ARDERE INTERNĂ

Capitolul 3

Tranzistoare bipolare



1.

3p

Pentru ca o structura de tip "pnp" sau "npn" sa se comporte ca un tranzistor bipolar este necesar ca:

a)      baza sa fie foarte īngusta;

b)      emitorul sa fie puternic dopat;

c)      baza sa fie foarte īngusta si emitorul puternic dopat;

d)      baza sa fie foarte īngusta sau emitorul puternic dopat;

Raspuns corect c.)

2.

2p

Emitorul unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific

Raspuns corect c.)

3.

2p

Colectorul unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific.

Raspuns corect a.)

3.

2p

Baza unui tranzistor bipolar:

a)     are rolul de "colecta" fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

b)     are rolul de a controla fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

c)     are rolul de a "emite" (genera) fluxul principal de purtatori care circula prin structura;

d)     nu are un rol specific.

Raspuns corect b.)

4

1p

Figura 3.1 prezinta

Figura 3.1

a)     un tranzistor cu efect de cāmp cu jonctiune cu canal n;

b)     un tranzistor cu efect de cāmp cu jonctiune cu canal p;

c)     un tranzistor bipolar pnp;

d)     un tranzistor bipolar npn. 757p1524h

Raspuns corect d.)

5.

1p

Figura 3.2 prezinta:

Figura 3.2

a)     un tranzistor cu efect de cāmp cu jonctiune cu canal n;

b)     un tranzistor cu efect de cāmp cu jonctiune cu canal p;

c)     un tranzistor bipolar pnp;

d)     un tranzistor bipolar npn. 757p1524h

Raspuns corect c.)

6.

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza īn regim blocat se comporta ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit īntrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect c.)

7.

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza īn regim saturat se comporta ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit īntrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect b.)

8.

2p

Un tranzistor bipolar care lucreaza īn regim activ normal se comporta īntre emitor si colector ca:

a)     un generator de curent comandat;

b)     un scurtcircuit;

c)     un circuit īntrerupt;

d)     un comutator

Raspuns corect a.)

9.

3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaza īn regim blocat este:

a)      si

b)      si

c)      si

d)      si

Raspuns corect a.)

10.

3p

Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucreaza īn regim de saturatie este:

a)      si

b)      si

c)      si

d)      si

Raspuns corect b.)

11.

2p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim activ normal:

a)     jonctiunea emitorului este īn conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este īn conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt īn conductie.

Raspuns corect a.)

12.

2p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim saturat:

a)     jonctiunea emitorului este īn conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este īn conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt īn conductie.

Raspuns corect d.)

13.

2p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim de blocare:

a)     jonctiunea emitorului este īn conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este īn conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt īn conductie.

Raspuns corect c.)

14.

2p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim activ inversat:

a)     jonctiunea emitorului este īn conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers;

b)     jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este īn conductie;

c)     ambele jonctiuni sunt polarizate invers;

d)     ambele jonctiuni sunt īn conductie.

Raspuns corect b.)

15.

1p

Pentru ca un tranzistor bipolar sa functioneze ca simplu amplificator este necesar ca tranzistorul sa opereze:

a)     īn regim activ normal;

b)     īn regim saturat;

c)     īn regim de blocare;

d)     īn regim activ inversat.

Raspuns corect a.)

16.

3p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim activ normal jonctiunea emitorului este īn conductie, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers. Īn aceasta situatie apare efectul de tranzistor. Acesta consta īn:

a)     trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonctiunea polarizata direct a emitorului;

b)     trecerea unui curent de valoare relativ mica prin jonctiunea polarizata direct a emitorului;

c)     trecerea unui curent de valoare relativ mica prin jonctiunea polarizata invers colectorului;

d)     trecerea unui curent de valoare relativ mare prin jonctiunea polarizata invers colectorului.

Raspuns corect d.)

17.

3p

Īn situatia īn care un trazistor bipolar lucreaza īn regim activ normal, īn structura apare asa numitul efect de tranzistor. Explicatia constǎ īn faptul cǎ:

a)     exista un efect de tunelare īn baza;

b)     exista un efect multiplicare īn avalansa la nivelul bazei;

c)     baza fiind foarte īngustǎ (mult mai micǎ decāt lungimea de difuzie), purtǎtorii injectati de emitor ajung īn jonctiunea colectorului de unde sunt preluati de cāmpul accelerant existent la nivelul jonctiunii;

d)     cāmpul electric din baza accelereaza purtatorii injectati de emitor;

Raspuns corect c.)

18.



1p

Figura 3.3 prezinta:

Figura 3.3

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect a.)

19.

1p

Figura 3.4 prezinta:

Figura 3.4

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect c.)

20.

1p

Figura 3.5 prezinta:

Figura 3.5

a)     conexiunea emitor comun;

b)     conexiunea baza comuna;

c)     conexiunea colector comun;

d)     conexiunea drena comuna.

Raspuns corect b.)

21.

2p

Īn conexiunea emitor comun:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect a.)

22.

2p

Īn conexiunea colector comun:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect b.)

23.

2p

Īn conexiunea baza comuna:

a)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector emitor si curentul de colector;

b)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor;

c)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ si curentul de emitor, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea colector bazǎ si curentul de colector;

d)     semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, si curentul de bazǎ, iar semnalele de iesire (sau comandate) sunt tensiunea emitor colector si curentul de emitor.

Raspuns corect c.)

24.

3p

Īn regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral descris de douǎ si numai douǎ ecuatii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. Īn mod uzual acestea sunt:

a)      si

b)      si

c)      si

d)      si

Raspuns corect c.)

25.

3p

Caracteristica statica de iesire este:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

26.

3p

Caracteristica statica de intrare este:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

27.

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 1 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect b.)

28.

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 2 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect c.)

29.

1p

Figura 3.6 prezinta caracteristica statica de iesire. Cu 3 este notata:

Figura 3.6

a)     regiunea activa normala;

b)     regiunea de saturatie;

c)     regiunea de blocare;

d)     regiunea activa inversata.

Raspuns corect a.)

30.

Figura 3.7 prezinta:

Figura 3.7

a)     caracteristica statica de iesire;

b)     caracteristica statica de intrare;

c)     caracteristica statica de transfer;

d)     caracteristica dinamica de transfer.

Raspuns corect b.)

31.

3p

Schema echivalenta a unui tranzistor care functioneaza īn regim de blocare este prezentata īn figura notata:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect a.)

32.

3p

Schema echivalenta a unui tranzistor care functioneaza īn regim de saturatie este prezentata īn figura notata:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect b.)

33.

3p

Modelul de ordin zero al unui tranzistor bipolar care opereaza īn regim activ normal este reprezentat de:

a)     vBE=const.                    si          iC=iE

b)                           si         

c)             si         

d)                            si         

Raspuns corect a.)

34.

3p

Modelul de ordin unu al unui tranzistor bipolar care opereaza īn regim cvasistatic de semnal mare īn regiunea activa normala este reprezentat de:

a)     vBE=const.                    si          iC=iE

b)                           si         

c)             si         

d)                            si         

Raspuns corect b.)

35.

3p

Modelul de ordin doi al unui tranzistor bipolar care opereaza īn regim cvasistatic de semnal mare īn regiunea activa normala este reprezentat de:

a)     vBE=const.                    si          iC=iE

b)                           si         

c)             si         

d)                            si         




Raspuns corect c.)

36.

3p

Schema echivalenta corespunzatoare modelului de ordin unu al unui tranzistor bipolar care opereaza īn regim cvasistatic de semnal mare īn regiunea activa normala este reprezentat īn figura:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect c.)

37.

3p

Schema echivalenta corespunzatoare modelului de ordin doi al unui tranzistor bipolar care opereaza īn regim cvasistatic de semnal mare īn regiunea activa normala este reprezentat īn figura:

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect d.)

38.

3p

Īn figura 3.8 cu 1 s-a notat:

Figura 3.8

a)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere primara;

b)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere secundara;

c)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza efectul temperaturii;

d)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere tertiara.

Raspuns corect a.)

39.

3p

Īn figura 3.8 cu 2 s-a notat:

a)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere primara;

b)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere secundara;

c)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza efectul temperaturii;

d)     regiunea din caracteristica ce evidentiaza fenomenul de strapungere tertiara.

Raspuns corect b.)

40.

3p

Ambalarea termica este fenomenul prin care:

a)     datorita cresterii temperaturii se poate īntāmpla ca iC sa scada necontrolat;

b)     datorita scaderii temperaturii se poate īntāmpla ca iC sa scada necontrolat;

c)     datorita cresterii temperaturii se poate īntāmpla ca iC sa creasca necontrolat;

d)     datorita scaderii temperaturii se poate īntāmpla ca iC sa creasca necontrolat;

Raspuns corect c.)

41.

3p

Ambalarea termica este fenomenul prin care datorita cresterii temperaturii se poate īntāmpla ca iC sa creasca necontrolat. Explicatia rezida īn fenomenul regenerativ ce poate avea loc īn structura. Pentru a pune īn evidenta acest fenomen regenerativ amintim:

a)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la cresterea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la cresterea temperaturii jonctiunii;

b)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la scaderea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la cresterea temperaturii jonctiunii;

c)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la cresterea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la scaderea temperaturii jonctiunii;

d)     cresterea temperaturii jonctiunii duce la scaderea curentului direct prin ea si cresterea curentului direct prin jonctiune duce la scaderea temperaturii jonctiunii;

Raspuns corect a.)

42.

3p

Caderea de tensiune pe jonctiunea baza emitor variaza o data cu variatia temperaturii cu aproximativ:

a)     1-1.5 mV/oC.

b)     2-2.5 mV/oC.

c)     10-15 mV/oC.

d)     20-25 mV/oC.

Raspuns corect b.)

43.

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite īn planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune īn evidenta. Cu 1 s-a notat:

Figura 3.9

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect b.)

44.

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite īn planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune īn evidenta. Cu 2 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect c.)

45.

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite īn planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune īn evidenta. Cu 3 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect a.)

46.

1p

Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat ca marimile cele mai importante care limiteaza functionarea tranzistorului sunt definite īn planul caracteristicilor de iesire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune īn evidenta. Cu 4 s-a notat:

a)     tensiunea maxima colector - emitor;

b)     curentul maxim de colector;

c)     puterea disipata maxima;

d)     regiunea permisa sau zona de siguranta.

Raspuns corect d.)

47.

3p

Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al unui transistor bipolar este:

a)                           si         

b)             si         

c)                         si         

d)                         si         

Raspuns corect d.)

48.

3p

Marimea  poarta numele de transconductanta (panta). Valoarea ei este:

a)     gm[mS]=2.5IC[mA]

b)     gm[mS]=4IC[mA]

c)     gm[mS]=25IC[mA]

d)     gm[mS]=40IC[mA]

Raspuns corect d.)

49.

3p

Īntre  (transconductanta) si (rezistenta de intrare) exista relatia:

a)    

b)    

c)    

d)    

Raspuns corect a.)

50.

3p

Circuitele de polarizare ale unui tranzistor bipolar au rolul de a:

a)     stabiliza PSF numai functie de efectele temperaturii;

b)     stabilizarea PSF numai functie de efectele dispersiei parametrilor;

c)     stabilizarea PSF functie de efectele temperaturii sau dispersia parametrilor;

d)     stabilizarea PSF functie de efectele temperaturii si dispersia parametrilor.

Raspuns corect d.)

51.

4p

Figura 3.10 prezinta un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este:

Figura 3.10

a.)

b.)

c.)

d.)

Raspuns corect d.)



52.

4p

Figura 3.10 prezinta un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul IC are expresia:

a)     IC=

b)     IC=

c)     IC=

d)     IC=

Raspuns corect c.)

53.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Rezistorul RE asigura stabilizarea termica a etajului. Mecanismul prin care se realizeaza aceasta este:

Figura 3.11

a)

b)

c)

d)

unde:

VRE      - caderea de tensiune pe RE;

VE        - potentialul emitorului.

Raspuns corect a)

54.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Schema echivalenta a lui este:

a)

b)

c)

d)

Raspuns corect a)

55.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Figura 3.12 prezinta schema echivalenta pentru regimul static a circuitului din figura 3.11. Aplicānd teoremele lui Kirchhoff se obtine sistemul de ecuatii:

Figura 3.12

a)

I=I1+bIB

I2=I1+IB           

IB+bIB=IE

EC=bIBRC+VCE+IERE

-VBE=-VCE-bIBRC+I1RB1

VBE=I2RB2-IERE           

b)

I=I1+bIB

I1=I2+IB           

IB+bIB=IE

EC=bIBRC+VCE+IBRE

-VBE=-VCE-bIBRC+I1RB1

VBE=I2RB2-IERE           

c)

I=I1+bIB

I1=I2+IB           

IB+bIB=IE

EC=bIBRC+VBE+IERE

-VBE=-VCE-bIBRC+I1RB1

VBE=I2RB2-IERE           

d)

I=I1+bIB

I1=I2+IB           

IB+bIB=IE

EC=bIBRC+VCE+IERE

-VBE=-VCE-bIBRC+I1RB1

VBE=I2RB2-IERE           

Raspuns corect d.)

56.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalānd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura:

a)

b)

c)

d)

unde:   si       

Raspuns corect b)

57.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalānd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura 3.13. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este:

Figura 3.13

a)

b)

c)

d.)

Raspuns corect c)

58.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Echivalānd Thevenin divizorul din baza se obtine schema din figura 3.13. Schema echivalenta pentru regimul static a acestui circuit este prezentata īn figura 3.14. Aplicānd teoremele lui Kirchhoff se obtine sistemul de ecuatii:

Figura 3.14

a)

IE=IE+bIB

EC=bIBIC+VCE+IE

EB-VBE=REIE+RBIB

b)

IE=IB+bIC

EC=bIBIC+VCE+IE

EB-VBE=REIE+RBIB

c)

IE=IB+bIB

EC=bIBIC+VCE+IE

EB-VBE=REIE+RBIB

d)

IE=IB+bIB

EC=bIBIC+VBE+IE

EB-VBE=REIE+RBIB

unde:             si         

Raspuns corect c)

59.

4p

Figura 3.11 prezinta un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar. Curentul IC are expresia:

a)

b)

c)

d)

Raspuns corect a)












Document Info


Accesari: 3247
Apreciat:

Comenteaza documentul:

Nu esti inregistrat
Trebuie sa fii utilizator inregistrat pentru a putea comenta


Creaza cont nou

A fost util?

Daca documentul a fost util si crezi ca merita
sa adaugi un link catre el la tine in site

Copiaza codul
in pagina web a site-ului tau.




Coduri - Postale, caen, cor

Politica de confidentialitate

Copyright © Contact (SCRIGROUP Int. 2019 )