Legatura dintre parametrii fizici ai tranzistorului si parametrii h

Legatura dintre parametrii fizici ai tranzistorului si parametrii h

1.7.1. Rolul parametrilor h īn schema

echivalenta si calculul lor

Utilizarea schemelor echivalente pentru analiza circuitelor electronice per 121i86b mite de a obtine legatura dintre procesele fizice care au loc īn tranzistor si parametrii circuitelor. Aceasta este posibil daca sunt cunoscute marimile fizice ale parametrilor tranzistorului īn circuitele prezentate īn fig.1.19 si fig.1.22.

Pentru determinarea relatiilor de legatura īntre parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului este necesar de a analiza concomitent sistemul de ecuatii a parametrilor h (1.37), (1.38)

si schema echivalenta, prezentata īn fig.1.22. Īn presupunere ca tensiunea de iesire īn aceasta schema este egala cu zero, adica , tensiunea la intrare poate fi determinata ca

;

. (1.52)

Daca comparam relatiile (1.38) si (1.52), obtinem

. (1.53)

Luānd īn considerare faptul ca , obtinem formula de legatura a parametrului cu parametrii fizici:

. (1.54)

Parametrul se defineste īn schema din fig.1.22 ca divizor de tensiune format de rezistentele si daca , adica

. (1.55)

Coeficientul de transfer dupa curent al tranzistorului cuplat EC se determina cu ajutorul ecuatiei lui Kirghoff pentru circuitul colectorului din schema echivalenta (fig.1.22)

,

Pentru , obtinem

.

Din aceste considerente

.

Luānd īn considerare ca se obtine

.    (1.56)

Parametrul dupa definitie prezinta conductibilitatea de iesire pentru regim mers īn gol la intrarea tranzistorului. Din relatia (1.55), presupunānd ca amplitudinea curentului bazei este egala cu zero (), primim

;

. (1.57)

Relatiile (1.53)...(1.57) indica legatura dintre parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului - cuadripol. Analogic putem obtine legatura dintre parametrii fizici si parametrii h ai tranzistorului - cuadripol īn schema de cuplare BC

; ;

; . (1.58)

1.7.2. Determinarea parametrilor fizici dupa parametrii h

Īn practica apare problema inversa - dupa parametrii h cunoscuti de determinat parametrii fizici ai tranzistorului bipolar. Rezolvarea concomitenta a ecuatiilor (1.54) si (1.57) fata de marimea primite de a obtine formula de calcul pentru rezistenta jonctiunii emitorului

.    (1.59)

Remarcam ca formula data poate fi utilizata doar īn cazul cānd coeficientul diferential de reactie inversa poseda o valoare semnificativa. Daca acest parametru este aproape sau egal cu zero, se utilizeaza formula (1.40). Relatiile (1.57) si (1.59) permit de a calcula rezistenta jonctiunii colectorului dupa curent alternativ

;

;

. (1.60)

Relatiile (1.52), (1.54), (1.57) permit de a obtine formula pentru calculul rezistentei bazei

. (1.61)

Īn īndrumare marimile , , nu sunt īntotdeauna incluse. De regula, ele sunt calculate dupa parametrii h cunoscuti ai tranzistorului cuplat dupa schema EC conform relatiilor (1.56), (1.59), (1.60), (1.61). Parametrii h ai tranzistorului sunt masurati experimental sau determinati conform caracteristicile statice.

Analogic poate fi gasita legatura dintre parametrii h si elementele schemei echivalente fizice pentru conectarea tranzistorului BC.