Documente online.
Zona de administrare documente. Fisierele tale
Am uitat parola x Creaza cont nou
 HomeExploreaza
upload
Upload




DIODA SEMICONDUCTOARE

Fizica


DIODA SEMICONDUCTOARE

Lucrarea are ca scop ridicarea caracteristicilor si determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare precum si studiul comportarii diodei semiconductoare in circuite elementare.



Caracteristica statica este data de legea:

Graficul legii

este curentul de saturatie al diodei dat de expresia:

si este dependent de parametrii fizici si tehnologici ai jonctiunii PN:

suprafata jonctiunii, ;

concentratia intrinseca de purtatori

coeficientii de difuzie , ,

lungimile de difuzie ,, ale purtatorilor de sarcina

concentratiile de impuritati, , )

este un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, si mai apropiate de pentru Si, care rezulta din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcina spatiala la tensiuni de polarizare directe mici

Graficul teoretic la ecuatiei diodei semiconductoare la scara semilogaritmica

 


Punctul static de functionare are coordonatele , iar in acest punct de functionare dioda este caracterizata din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplizate in serie cu tensiunea continua ) printr-o rezistenta dinamica, pentru care se deduce relatia :

Rezistenta dinamica se determina experimental prin calculul pantei caractristicii statice, in punctul static de functionare conform relatiei : .


REZULTATELE EXPERIMENTULUI

Pentru montajul din  figura de mai jos se foloseste o schema electrica ajutatoare ca sursa de curent reglabil cu ajutorul potentiometrului . Alimentat in curent continuu intre bornele 3 (+5 V) si 2 (masa), circuitul furnizeaza la borna 7 un curent reglabil intre 0 50 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele inchizandu-se spre borna comuna de masa (borna 2).


 
- D1N4001

I = 0,5 100 mA (borna 4 este anodul)

- BA 220

I = 0,1 50 mA (borna 5 este anodul)

- BZX 84-C7V5

I = 0,1 20 mA (anodul este borna 6).

I [mA]

UD1 [V]

UD2 [V]

UD3 [V]


= 5 mA

uo=0,58 V

dioda BA 220

Se observa o dublare a curentului de saturatie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Aceasta depedenta poate fi pusa in evidenta si prin coeficientul de variatie a tensiunii directe de pe dioda cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa –2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

Se traseaza caracteristicile statice ale celor trei diode la scara semilogaritmica si se determina parametrii si .



Determinarea curentului de saturatie , si a coeficientului de recombinare g

Pentru dioda D1 – D1N4001 (Ge) : I=1 mA U=0,155 V

I=100 mA U=0,31 V

g =

Pentru dioda D2 - BA220 (Si) : I=1 mA U=0,61 V

I=100 mA U=0,84 V

g =

Pentru dioda D3 - BZX84C7V5(Zener) : I=1 mA U=0,74 V

I=100 mA U=0,88 V

g =

Se traseaza cele trei caracteristici la scara liniara pe un acelasi.


Pentru BA 220 se va trasa si dreapta statica de functionare (= 5 V si =820W) si se determina punctul static de functionare (prin precizarea coordonatelor sale, si ).



Document Info


Accesari:
Apreciat: hand-up

Comenteaza documentul:

Nu esti inregistrat
Trebuie sa fii utilizator inregistrat pentru a putea comenta


Creaza cont nou

A fost util?

Daca documentul a fost util si crezi ca merita
sa adaugi un link catre el la tine in site


in pagina web a site-ului tau.




eCoduri.com - coduri postale, contabile, CAEN sau bancare

Politica de confidentialitate | Termenii si conditii de utilizare




Copyright © Contact (SCRIGROUP Int. 2024 )